三星電子稱(chēng)“通用DRAM比HBM更賺錢(qián)” 但承諾保持均衡生產(chǎn)

2026-05-01 02:00:03    來(lái)源:新經(jīng)網(wǎng)    作者:馮思韻
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  不過(guò),三星電子明確表示,不會(huì )因為通用DRAM短期盈利更高而大幅調整生產(chǎn)結構。公司強調,若生產(chǎn)過(guò)度向通用DRAM傾斜,反而會(huì )加劇HBM的供不應求局面,屆時(shí)HBM的盈利能力有望重新追趕上來(lái)。因此,三星計劃在通用DRAM和HBM之間維持均衡的生產(chǎn)比例,兼顧短期業(yè)績(jì)與長(cháng)期戰略。

  【CNMO科技消息】4月30日,三星電子在2026年第一季度財報電話(huà)會(huì )議上表示,近期通用DRAM的盈利能力已高于高帶寬存儲器(HBM),但公司將維持兩者之間的均衡生產(chǎn)比重。

  三星電子方面承認:“近期通用DRAM的價(jià)格出現上漲,其盈利能力確實(shí)比HBM更高?!惫窘忉尫Q(chēng),HBM以年度為單位提前簽訂供應合同,而通用DRAM則以季度為單位進(jìn)行價(jià)格協(xié)商,因此通用DRAM能夠更早反映價(jià)格上升趨勢,導致短期內的收益性出現逆轉。

三星電子

  三星電子半導體業(yè)務(wù)負責人進(jìn)一步透露,HBM4的差異化性能已經(jīng)吸引了大量客戶(hù)需求,公司為HBM4準備的全部產(chǎn)能均已售罄。預計今年下半年,HBM4的供應量將全面擴大,其銷(xiāo)售額將在第三季度占到三星整體HBM銷(xiāo)售額的一半以上,在今年全年也將占據過(guò)半比重。

  在技術(shù)迭代方面,三星電子已將1c納米制程的DRAM引入HBM4生產(chǎn)以提升產(chǎn)品性能。同時(shí),下一代高帶寬存儲器HBM4E(第七代HBM)的首批樣品計劃于今年第二季度向主要客戶(hù)供應,相關(guān)業(yè)務(wù)準備工作正在加速推進(jìn)。


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