很多朋友不知道【三星電子突破DRAM技術(shù)壁壘 成功產(chǎn)出10納米以下工作晶圓】，今天小綠就為大家解答一下。

　　業(yè)界人士指出，三星電子此次成功產(chǎn)出工作晶圓，意味著(zhù)采用該技術(shù)的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)工作將加速推進(jìn)。與此同時(shí)，其他廠(chǎng)商的策略有所不同。美光計劃盡可能維持現有設計。中國DRAM廠(chǎng)商由于無(wú)法進(jìn)口極紫外光刻設備，在現狀下難以進(jìn)行線(xiàn)寬縮小，因此正積極開(kāi)發(fā)3D DRAM，認為一旦DRAM實(shí)現3D化，便可使用傳統光刻設備制造先進(jìn)產(chǎn)品。SK海力士則計劃在10b節點(diǎn)而非10a節點(diǎn)應用4F平方和VCT技術(shù)。

　　隨著(zhù)4F平方和VCT技術(shù)的應用，核心材料也隨之改變。三星電子將通道材料從硅改為銦鎵鋅氧化物，以在縮小單元中抑制泄漏電流并確保數據保持特性。此外，在單元周?chē)季值母鞣N外圍電路將采用單獨晶圓加工，并通過(guò)晶圓對晶圓混合鍵合技術(shù)連接的PUC方案。

　　【CNMO科技消息】CNMO從韓媒獲悉，三星電子在DRAM制造技術(shù)方面取得突破，首次成功產(chǎn)出10納米以下級別的工作晶圓。這一進(jìn)展標志著(zhù)該公司在克服DRAM“10納米魔咒”方面邁出了關(guān)鍵一步。

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　　此次突破的關(guān)鍵在于采用了4F平方單元面積和垂直通道晶體管這兩項新技術(shù)。此前DRAM單元面積為6F平方，而10a工藝將其縮小至4F平方。理論表明，在相同的芯片尺寸下，轉向4F平方結構可容納30%至50%更多的單元，有利于提升容量、速度并降低功耗。為了在縮小后的單元面積上布置柵極、通道和電容器，三星引入了VCT技術(shù)。該技術(shù)將電容器置于晶體管上方，改變了以往兩者各自占用單元面積的傳統布局。

　　據業(yè)界消息，三星電子上月生產(chǎn)了采用10a工藝的晶圓，并在芯片特性檢測過(guò)程中確認了工作晶圓的存在。這是該公司首次應用4F平方單元結構和垂直通道晶體管工藝的結果。在DRAM行業(yè)，10納米級別工藝通常按1x、1y、1z、1a、1b、1c、1d的順序劃分代際。10a代表1d之后的下一代，是首個(gè)低于10納米的節點(diǎn)。專(zhuān)家分析其實(shí)際電路線(xiàn)寬約為9.5至9.7納米水平。

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　　工作晶圓是指從晶圓上切割下來(lái)的芯片中能夠按設計正常運作的部分。在開(kāi)發(fā)階段產(chǎn)出工作晶圓，被視為設計與工藝方向正確的信號，之后將進(jìn)行良率提升和可靠性驗證等后續工作。三星電子計劃今年完成基于此結構的10a DRAM開(kāi)發(fā)，明年進(jìn)行質(zhì)量測試，并于2028年將其轉移到量產(chǎn)生產(chǎn)線(xiàn)。該公司計劃在10a、10b、10c三個(gè)代際中使用4F平方和VCT結構，并從10d開(kāi)始轉向3D DRAM。

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